IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。