CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）