常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。