問(wèn)答題列舉下一代光刻技術(shù)中4種正在研發(fā)的光刻技術(shù)。
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1.問(wèn)答題光學(xué)光刻技術(shù)的改進(jìn)有哪些方面？
2.問(wèn)答題為什么要進(jìn)行顯影后檢查？
3.問(wèn)答題解釋光刻膠選擇比，要求的比例是高還是低？
4.問(wèn)答題使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成圖形的不透明材料是什么？
5.問(wèn)答題當(dāng)分辨率增加時(shí)焦深會(huì)發(fā)生什么變化？
最新試題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題