金屬化中可選用的金屬材料有（）。

CMP的設備構(gòu)成包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

光刻工藝的特點包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。