由于顯影時的變形和膨脹,負性光刻膠通常只有2μm的分辨率。 正性光刻膠。
最新試題
厚膜電阻的成分,一是導體顆粒,二是()。
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
摻雜后退火時間一般在()。
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
互連工藝中AL的制備可選用()。
鳥嘴效應造成的不良影響有()。
光刻工藝對準誤差包括()。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()