化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）