下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。