進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。