下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。