摻雜后退火時間一般在（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。