刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。