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填空題
晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)是指（）結(jié)正偏、（）結(jié)零偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。
答案：發(fā)射；集電；集電極；基極
填空題
晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（）偏、集電結(jié)（）偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。
答案：正；零；集電極；發(fā)射極
填空題
晶體管的注入效率是指（）電流與（）電流之比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（）區(qū)摻雜濃度。
答案：從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少子；總的發(fā)射極；發(fā)射；基
填空題
晶體管中的少子在渡越（）的過程中會(huì)發(fā)生（），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（）。
答案：基區(qū)；復(fù)合；小
填空題
晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指（）電流與（）電流之比。由于少子在渡越基區(qū)的過程中會(huì)發(fā)生（），從而使基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)（）。為了提高基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，應(yīng)當(dāng)使基區(qū)寬度（）基區(qū)少子擴(kuò)散長度。
答案：基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子；從發(fā)射結(jié)剛注入基區(qū)的少子；復(fù)合；小于 1；遠(yuǎn)小于
填空題
PN結(jié)的摻雜濃度越高，雪崩擊穿電壓越（）；結(jié)深越淺，雪崩擊穿電壓就越（）。
答案：??；小
填空題
PN結(jié)的擊穿有三種機(jī)理，它們分別是（）、（）和（）。
答案：雪崩擊穿；齊納擊穿；熱擊穿
填空題
從器件本身的角度，提高開關(guān)管的開關(guān)速度的主要措施是（）和（）（）。
答案：降低少子壽命；加快反向復(fù)合；減薄輕摻雜區(qū)的厚度
填空題
在PN結(jié)開關(guān)管中，在外加電壓從正向變?yōu)榉聪蚝蟮囊欢螘r(shí)間內(nèi)，會(huì)出現(xiàn)一個(gè)較大的反向電流。引起這個(gè)電流的原因是存儲(chǔ)在（）區(qū)中的（）電荷。這個(gè)電荷的消失途徑有兩條，即（）和（）。
答案：N；非平衡載流子；反向電流的抽??；少子自身的復(fù)合
填空題
擴(kuò)散電容反映的是 PN 結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。正向電流越大，則擴(kuò)散電容就越（）；少子壽命越長，則擴(kuò)散電容就越（）。
答案：非平衡載流子；大；大

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在設(shè)計(jì)與制造晶體管時(shí)，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)當(dāng)（）基區(qū)寬度，（）基區(qū)摻雜濃度。

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晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)是指（）結(jié)正偏、（）結(jié)零偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。

晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（）偏、集電結(jié)（）偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。

晶體管的注入效率是指（）電流與（）電流之比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（）區(qū)摻雜濃度。

晶體管中的少子在渡越（）的過程中會(huì)發(fā)生（），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（）。

PN結(jié)的摻雜濃度越高，雪崩擊穿電壓越（）；結(jié)深越淺，雪崩擊穿電壓就越（）。

PN結(jié)的擊穿有三種機(jī)理，它們分別是（）、（）和（）。

從器件本身的角度，提高開關(guān)管的開關(guān)速度的主要措施是（）和（）（）。

擴(kuò)散電容反映的是 PN 結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。正向電流越大，則擴(kuò)散電容就越（）；少子壽命越長，則擴(kuò)散電容就越（）。

在設(shè)計(jì)與制造晶體管時(shí)，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)當(dāng)（）基區(qū)寬度，（）基區(qū)摻雜濃度。

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晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)是指（）結(jié)正偏、（）結(jié)零偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。

晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（）偏、集電結(jié)（）偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。

晶體管的注入效率是指（）電流與（）電流之比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（）區(qū)摻雜濃度。

晶體管中的少子在渡越（）的過程中會(huì)發(fā)生（），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（）。

PN結(jié)的摻雜濃度越高，雪崩擊穿電壓越（）；結(jié)深越淺，雪崩擊穿電壓就越（）。

PN結(jié)的擊穿有三種機(jī)理，它們分別是（）、（）和（）。

從器件本身的角度，提高開關(guān)管的開關(guān)速度的主要措施是（）和（）（）。

擴(kuò)散電容反映的是 PN 結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。正向電流越大，則擴(kuò)散電容就越（）；少子壽命越長，則擴(kuò)散電容就越（）。

在設(shè)計(jì)與制造晶體管時(shí)，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)當(dāng)（）基區(qū)寬度，（）基區(qū)摻雜濃度。

晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)是指（）結(jié)正偏、（）結(jié)零偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。

晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（）偏、集電結(jié)（）偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。

晶體管的注入效率是指（）電流與（）電流之比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（）區(qū)摻雜濃度。

晶體管中的少子在渡越（）的過程中會(huì)發(fā)生（），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（）。

PN結(jié)的摻雜濃度越高，雪崩擊穿電壓越（）；結(jié)深越淺，雪崩擊穿電壓就越（）。

PN結(jié)的擊穿有三種機(jī)理，它們分別是（）、（）和（）。

從器件本身的角度，提高開關(guān)管的開關(guān)速度的主要措施是（）和（）（）。

擴(kuò)散電容反映的是 PN 結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。正向電流越大，則擴(kuò)散電容就越（）；少子壽命越長，則擴(kuò)散電容就越（）。