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填空題晶體管的注入效率是指（）電流與（）電流之比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（）區(qū)摻雜濃度。

參考答案： 從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少子；總的發(fā)射極；發(fā)射；基

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1.填空題晶體管中的少子在渡越（）的過程中會發(fā)生（），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（）。

2.填空題晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指（）電流與（）電流之比。由于少子在渡越基區(qū)的過程中會發(fā)生（），從而使基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)（）。為了提高基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，應(yīng)當(dāng)使基區(qū)寬度（）基區(qū)少子擴(kuò)散長度。

參考答案：基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子；從發(fā)射結(jié)剛注入基區(qū)的少子；復(fù)合；小于 1；遠(yuǎn)小于

3.填空題PN結(jié)的摻雜濃度越高，雪崩擊穿電壓越（）；結(jié)深越淺，雪崩擊穿電壓就越（）。

參考答案：?。恍?/span>

4.填空題PN結(jié)的擊穿有三種機(jī)理，它們分別是（）、（）和（）。

參考答案：雪崩擊穿；齊納擊穿；熱擊穿

5.填空題從器件本身的角度，提高開關(guān)管的開關(guān)速度的主要措施是（）和（）（）。

參考答案：降低少子壽命；加快反向復(fù)合；減薄輕摻雜區(qū)的厚度