IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。