單項選擇題以下哪項不是STI工藝氣體？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
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1.單項選擇題CMP清洗部分的順序是（）。
A.兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆聲清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆聲清洗（Meg）
2.單項選擇題高電流注入機的掃描方式為（）。
A.靜電掃描
B.機械掃描
C.靜電掃描與機械掃描結(jié)合
3.單項選擇題下列選項屬于BF3的特性的是（）
A.黃色標(biāo)識，有白煙
B.紅色標(biāo)識，臭大蒜味道
C.黑色標(biāo)識，無色大蒜味
4.單項選擇題離子注入機機架外殼和高壓放電棒接地電阻小于（）。
A.1Ω
B.5Ω
C.10Ω
最新試題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強，（）再次來到大眾視線
題型：單項選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
下列對焊接可靠性無影響的是（）。
題型：單項選擇題
根據(jù)焊點的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項選擇題
凸點的制作技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題