硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。