光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。