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問(wèn)答題SiO₂按結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為哪些類型？熱氧化生長(zhǎng)的SiO₂屬于哪一類？

二氧化硅按結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可將其分為結(jié)晶形跟非結(jié)晶形，熱氧化生長(zhǎng)的SiO₂為非結(jié)晶態(tài)。

1.問(wèn)答題 CMP（CMP-chemical mechanical polishing）包括哪些過(guò)程？

包括：邊緣拋光：分散應(yīng)力，減少微裂紋，降低位錯(cuò)排與滑移線，降低因碰撞而產(chǎn)生碎片的機(jī)會(huì)。表面拋光：粗拋光，細(xì)拋光，精拋光

2.問(wèn)答題硅片研磨及清洗后腐蝕的方法有哪些？

腐蝕方式：噴淋及浸泡

3.問(wèn)答題硅片研磨及清洗后為什么要進(jìn)行化學(xué)腐蝕？

工序目的：去除表面因加工應(yīng)力而形成的損傷層及污染

4.問(wèn)答題硅片表面吸附雜質(zhì)清洗順序是什么？

清洗順序：去分子－去離子－去原子－去離子水沖洗－烘干、甩干

5.問(wèn)答題硅片表面吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)有哪些？

被吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)：分子型、離子型、原子型