硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。