光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感，但對(duì)（）光不敏感。

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

以下是離子注入過(guò)程中的主要參數(shù)的是（）

傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過(guò)30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過(guò)程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

在顯影過(guò)程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）

離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）