電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）

敘述測試晶體管的方法？

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）

離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。