問答題最初只知道一個(gè)特殊的硅器件摻雜是用離子注入方法制備的，后經(jīng)過測(cè)量得知： 表面雜質(zhì)濃度為4×1013cm-3，峰值在1800Å深處，峰值濃度為5×1017cm-3。假定離子注入服從對(duì)稱高斯分布，你能估計(jì)出它的注入劑量是多少嗎？

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5.多項(xiàng)選擇題對(duì)于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。

A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。