問答題
假設(shè)某項(xiàng)化學(xué)氣相淀積工藝受反應(yīng)速率控制，在700 ℃和800 ℃時(shí)的淀積速率分別為500Å/min和2000Å/min，請計(jì)算在900℃下的淀積速率是多少？實(shí)際測量發(fā)現(xiàn)900℃下淀積速率遠(yuǎn)低于計(jì)算值，說明什么？怎樣證明？（化學(xué)氣相淀積的反應(yīng)速率常數(shù)
）
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4.多項(xiàng)選擇題對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。
A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。
5.單項(xiàng)選擇題離子注入過程是一個(gè)非平衡過程，高能離子進(jìn)入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機(jī)的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。
A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應(yīng)
D. 溝道效應(yīng)
最新試題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
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碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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題型：單項(xiàng)選擇題
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題型：單項(xiàng)選擇題