問答題
識別如圖所示工藝，寫出每個步驟名稱并進(jìn)行描述。
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3.多項(xiàng)選擇題對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。
A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。
4.單項(xiàng)選擇題離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進(jìn)入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機(jī)的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。
A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應(yīng)
D. 溝道效應(yīng)
5.單項(xiàng)選擇題雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種，分別是間隙式擴(kuò)散機(jī)制和替代式擴(kuò)散機(jī)制。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（），才有助于形成半導(dǎo)體硅。
A. 激活雜質(zhì)后
B. 一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中的運(yùn)動
C. 預(yù)淀積
D. 高溫多步退火
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