敏化劑

TEM觀測與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

陰極射線致發(fā)光

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。