當原子中的電子處于低能級時，吸收光子的能量后從低能級躍遷到高能級----光吸收。
原子在沒有外界干預的情況下，電子會由處于激發(fā)態(tài)的高能級E2自動躍遷至低能級E1，這種躍遷稱為自發(fā)輻射。
本征半導體中摻入少量五價元素構(gòu)成。
當T升高或光線照射時，產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
最新試題
通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導體。
PMOS的基底是p型半導體，所以叫PMOS。
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級
當一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。
陰極射線致發(fā)光
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
等離子體
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