本征半導體中摻入少量五價元素構成。
當T升高或光線照射時，產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
完全純凈的半導體稱為本征半導體。它們是制造半導體器件的基本材料。
電導率介于金屬和絕緣體之間的材料稱為半導體。
最新試題
等離子體
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
光生伏特效應
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。
TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
當一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結上的電壓方向是反向偏置的
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導體。
AFM通常用來觀測樣品表面形貌。