磁滯回線

內(nèi)光電效應(yīng)

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

陰極射線致發(fā)光

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。