碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

常壓的硅外延方法有（）。