判斷題在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制
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1.單項(xiàng)選擇題離子注入與熱擴(kuò)散相比，哪個橫向效應(yīng)小（）
A. 離子注入
B. 熱擴(kuò)散
2.單項(xiàng)選擇題
二氧化硅膜能有效的對擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些（）
①雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
②雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
3.單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？（）
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
4.名詞解釋歐姆接觸
5.問答題簡述電子束曝光的特點(diǎn)
最新試題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題