進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。