單項選擇題離子注入與熱擴散相比，哪個橫向效應(yīng)?。ǎ?/strong>
A. 離子注入
B. 熱擴散
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題
二氧化硅膜能有效的對擴散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些（）
①雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴散系數(shù)
②雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
2.單項選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？（）
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
3.名詞解釋歐姆接觸
4.問答題簡述電子束曝光的特點
最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝的特點包括（）。
題型：多項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題