單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下,制備相同厚度的氧化層,分別用干氧,濕氧和水汽氧化,哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)?()
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.名詞解釋歐姆接觸
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電子束曝光的特點(diǎn)
3.問(wèn)答題微電子器件對(duì)接觸和互連有什么要求?獲得良好歐姆接觸的方法有哪幾種?
4.名詞解釋外延
5.名詞解釋恒定源擴(kuò)散
最新試題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題