硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。