A.10
B.8
C.6
D.5
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A.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí),可按樓層劃分檢測(cè)單元
B.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí),按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元,劃分為若干個(gè)檢測(cè)單元
D.每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi),不宜少于6個(gè)測(cè)區(qū)
A.5
B.6
C.8
D.10
A.在檢測(cè)完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
D.現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
下列是晶體的是()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()