單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝


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1.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

A、加料—縮頸生長(zhǎng)—熔化—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
B、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
C、加料—熔化—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—縮頸生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
D、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)

2.單項(xiàng)選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于

3.單項(xiàng)選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯(cuò)
B、層錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯(cuò)

4.單項(xiàng)選擇題簡(jiǎn)述光生伏特效應(yīng)中正確的是（）

A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)；
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，產(chǎn)生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來(lái)的熱平衡；
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場(chǎng)作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散，p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散；若p-n結(jié)開(kāi)路，在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對(duì)，產(chǎn)生開(kāi)路電壓。

5.單項(xiàng)選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm，則（111）的面間距是多少？（）

A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm