單項選擇題砌體抗壓強度的現(xiàn)場檢測技術(shù)不包括（）。
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
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1.單項選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到（）。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
2.單項選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個測點，每個測點連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
3.單項選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
4.單項選擇題砂漿回彈法不適用于以下磚砌體（）。
A.燒結(jié)普通磚
B.砌體多孔磚砌體
C.遭受火災(zāi)后的砌體
5.單項選擇題目前，在現(xiàn)場對砌體強度進行檢測時，以下哪種方法不適合（）。
A.回彈法
B.扁式法
C.鉆芯法
D.原位軸壓法
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題