單項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測在調查階段下列哪項工作是錯誤的（）。
A.在檢測完成后在收集工程建設時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調查工程的結構形式、環(huán)境條件
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1.單項選擇題砌體抗壓強度的現(xiàn)場檢測技術不包括（）。
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
2.單項選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應精確到（）。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
3.單項選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個測點，每個測點連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
4.單項選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
5.單項選擇題砂漿回彈法不適用于以下磚砌體（）。
A.燒結普通磚
B.砌體多孔磚砌體
C.遭受火災后的砌體
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題