單項選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
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1.單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括（）
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
2.單項選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
3.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
A、6
B、2
C、4
D、5
4.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
5.單項選擇題下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
最新試題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題