單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)每一個檢測單元內(nèi)，不宜少于（）測區(qū)，應(yīng)將單個構(gòu)件（單片墻、柱）作為一個測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
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1.單項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測在調(diào)查階段下列哪項(xiàng)工作是錯誤的（）。
A.在檢測完成后在收集工程建設(shè)時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
2.單項(xiàng)選擇題砌體抗壓強(qiáng)度的現(xiàn)場檢測技術(shù)不包括（）。
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到（）。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個測點(diǎn)，每個測點(diǎn)連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點(diǎn)的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
5.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題