單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括（）
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
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1.單項選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
2.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
A、6
B、2
C、4
D、5
3.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
4.單項選擇題下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
5.單項選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題