判斷題同種半導(dǎo)體材料在相同溫度下電子的遷移率比空穴的遷移率小。
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影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題