CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。