當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。