摻雜后退火時間一般在（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。