摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

常壓的硅外延方法有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）