厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）