IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。