互連工藝中AL的制備可選用（）。

如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）